Calibre 掩膜工艺校正系列是基于规则和模型的产品,用于先进的光掩膜制造,校正系统性掩膜光刻和工艺误差源,确保掩膜关键尺寸特征符合规范。
了解 Calibre nmMPC 如何继续引领潮流,在准确性和可靠性方面建立新的基准。这种光罩建模的协同方法为光罩行业的光罩模型和 MPC 精度设定了新标准。
多光束掩模光刻验证
掩膜工艺校正(MPC)是 14 纳米及以上先进技术节点电子束掩膜制造中掩膜数据准备(MDP)的必要步骤。MPC 通常使用电子散射模型来表示电子束曝光,使用工艺模型来表示显影和蚀刻工艺效应。这些模型用于迭代模拟布局特征边缘的位置和移动边缘段,以最大限度地提高已完成掩模的边缘位置精度。选择性剂量分配可与边缘移动结合使用,以同时最大限度地提高工艺窗口和边缘位置精度。
针对矢量形光束(VSB)光罩写入器开发并优化了用于模型校准和布局校正的 MPC 方法,该光罩写入器代表了当今先进光罩制造中使用的主流光罩光刻技术。多光束掩膜写入器(MBMW)最近已经推出,并开始用于光掩膜的批量生产。
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