LEEG单晶硅压力变送器采用单晶硅技术压力传感器,单晶硅压力传感器位于金属本体顶部,远离介质接触面,实现机械隔离和热隔离,玻璃烧结一体的传感器引线与金属基体的高强度电气绝缘,提高了电子线路的灵活性能与耐瞬变电压保护的能力,可应对复杂的化学场合和机械负荷,同时具备较强的抗电磁干扰能力,适合苛刻的流程工业环境中压力或液位测量应用。
优势
- 单晶硅技术压力传感器
- 双膜片过载防护结构
- 集成电路与表面封装技术的信号变送模块
- 显示模块可355°旋转
- 壳体外隔离磁感应三按键参数设置
- 耐瞬变电压保护端子模块
特征
- 测量范围: 4kPa-10MPa
- 输出信号: 4-20mA, 4~20mA/HART
- 参考精度: ± 0.5% , ± 0.2%, ± 0.1% URL
- 介质温度: -40-120℃
- 测量介质:液体、气体或蒸汽
- 防护等级: IP67
- 电源: 4~20mA 二线制, 10.5-55vdc、4~20mA+HART 二线制, 16.5-55vdc
- 膜片材质: SS316L,哈氏合金 C
- 年稳定性: ±0.2% URL/5年
- 过程连接: DN50PN10, DN80PN10, DN100PN10
- 认证: CE, CMC, 防爆认证