核心传感器采用SP38T高精度单晶硅技术,可内置静压和温度补偿,最大限度提高了传感器的静压和温度性能。具有高过载和高静压的特点,即使公称压力范围为6kPa,高静压也能达到16MPa。SP38T适用于各种恶劣的环境,工作温度为-40~120℃。
- 精确的填充液技术。
- 双膜片过载结构。
- 长期稳定性高<±0.05%F.S./年。
- 极低的压力和温度滞后。
- 突入式温度传感器,双通道24bit adc。
- 可选多种隔离膜片材料,广泛满足抗压要求。
- 设计紧凑,易于封装。
- 电源供应。5V(典型值),12V(最大值)
- 输出电压:60~140mV(在5V下)
- 长期漂移。<±0.05% F.S./年
- 膜片材料。SUS316L/哈氏合金C
- 外壳的机械连接。M27×2(m), 2 3/16-16 uns, M56×1.5(m)
- 电源供应。5V(典型值),12V(最大值)
- 工作温度:-40℃~+120℃。
- 温度对零点的影响:±0.05% F.S./℃。
- 温度对量程的影响:-0.2±0.05% F.S./℃。
- 温度滞后。<±0.05% F.S.
- 压力滞后。<±0.025% F.S.
- 静态压力影响。<±0.1% /10MPa
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