硅MOSFET RM30N20PK
添加到我的收藏夹
添加到产品对比表
产品规格型号
- 材质
- 硅
产品介绍
这款MOSFET来自荣泰工业（上海）有限公司，。先进的6英寸技术实现了极低的静态漏极到源极导通电阻RDS（on）。因此，该MOSFET在应用过程中具有较低的能量消耗，这也提高了可靠性和耐用性。
特点。
VDS=200V,ID=30A
Rdson≦75mΩ @VGS=10V (典型值：55mΩ)
扩展的安全工作区
低反向传输电容
100%单脉冲雪崩能量测试
应用
-电源开关应用
-直流电动机控制
- 不间断电源
---
PDF产品目录
RM30N20PK
5 页
