MOSFET RVS20N65 series

RVS20N65F/S/PN 是采用荣科技 DP MOS 技术生产的 N 沟道增强模式高压功率 MOSFET。 它实现了较低的传导损耗和开关损耗。 它引领设计工程师采用具有高效率、高功率密度和卓越热性能的功率转换器。 此外，它是通用的，也就是说，适用于硬开关和软开关拓扑。 特点 ♦ 20A、650V、RoST、) =0.2i2 @VGS =10V ♦ 新的革命性高压技术 ♦ 超低栅极电荷 ♦ 周期性雪崩额定值 极端 dv/dt 额定值的 高峰值电流能力 ♦ ♦