InPolySide® 3+ 为 TOPCon 应用提供出色的背面和边缘蚀刻。去除了 LPCVD 和 PECVD 的多晶硅缠绕。具备高通量和十分灵活的晶圆尺寸,是下一代太阳能电池的理想工具。InPolySide® 设计为节省空间的单机床解决方案,涵盖预氧化物蚀刻、多晶硅蚀刻、清洁或玻璃蚀刻和冲洗这些步骤。无需额外的晶圆处理。
应用领域
TopCon 技术
可从 PERC 升级
多晶硅背面和边缘蚀刻
特点与优势
无分流 TopCon 电池的边缘蚀刻
高度可变且知名的工艺,可适应客户需求:
- 低 CoO
- N 型电池
- 适用于所有可用类型多晶硅(PECVD、LPCVD)的选择性发射极
RENA 专利工艺
高度优化的硬件配置和流程设置
单机床解决方案