该10G雪崩光电二极管芯片(APD芯片)为上P电极,下N电极结构,顶照有源面积大小为Φ50μm。本产品具有高倍增、低电容、高带宽、低温度系数、可靠性优异等特点,适用于10G SONET/SDH和10G PON光接收机。
1. Φ50μm光探测窗口
2. 高倍增
3. 低温度系数
4. 100%测试和外观检测
5. 高可靠性:本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求
6. 符合RoHS2.0要求(2011/65/EU)
应用领域
1. 10G SONET/SDH
2. 10G PON