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探测集成电路片 XSJ-10-APD-1000
光电二极管

探测集成电路片 - XSJ-10-APD-1000 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - 光电二极管
探测集成电路片 - XSJ-10-APD-1000 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - 光电二极管
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产品规格型号

技术参数
光电二极管, 探测

产品介绍

雪崩光探测器芯片(Avalanche Photodiode Chip)简称APD Chip,是一种具有内部倍增光电流的光接收芯片。该顶部入光产品的光敏区尺寸是Φ1000μm,便于光纤对准,正面/背面电极结构;高响应度,高倍增,低暗电流。高性能大光敏面的APD Chip封装成单管的TO-CAN可以提高光接收机的灵敏度,广泛用于微光探测和激光雷达等领域。 产品特点 1. 暗电流:350nA (VR=VBR-3V) 2. 带宽:0.25Ghz 3. 倍增:M>30(VR=VBR-1V) 4. ESD阈值:1000V 应用领域 1. 光时域反射(OTDR) 2. 激光测距 3. 空间光传输 4. 微光探距

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* 显示价格为参考价,此价格不含税、不含运费、不含关税,也不包含因安装或投入使用所产生的其他额外费用。参考价格可能因国家、原材料价格和汇率的不同而产生变化。