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数字集成电路片 XSJ-10-EMPD-120L探测InGaAsInP磷化铟
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产品规格型号
- 技术参数
- 数字, 探测, InP磷化铟, InGaAs
产品介绍
该XSJ-10-EMPD-120L是侧面入光的InGaAs InP PIN监测光探测器芯片，为平面结构。阳极和阴极在正面，芯片侧面探测窗口是120umX60um，适合于数据中心和电信边射型激光器，在980nm到1620nm波段范围内有很高的响应度，适用于非气密性封装。
1. PN电极位于顶部
2. 侧边可探测区域：100μmX60μm
3. 高响应度,低暗电流
4. 100%测试和外观检测
5. 满足非气密性封装要求
6. 高可靠性：本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求
7. 符合 RoHS2.0要求 (2011/65/EU)
应用领域
1. LD后向光功率监测
2. FTTH数字光通信
3. 光互联
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