该高数速NRZ/4X56Gbps PAM-4光电二极管芯片采用GaAs顶照1×4阵列PIN结构。特点是高倍增,低电容和低暗电流,光敏面大小为Φ35μm,信号和接地键合板设计在芯片顶部,便于线键合,应用于850nm 4X28Gbps/4X56Gbps PAM-4短距离数据光通信。
1. Φ35μm光探测窗口
2. 低暗电流
3. GSG焊盘设计
4. 芯片间距:250μm
5. 100%测试和外观检测
6. 高可靠性:本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求
7. 符合 RoHS2.0要求 (2011/65/EU)
应用领域
1. 200G SR4
2. 多模平行光纤光通信