砷化镓GaAs光电二极管阵列 XXSJ-10-G6A-35H-K4
PIN芯片式

砷化镓GaAs光电二极管阵列
砷化镓GaAs光电二极管阵列
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产品规格型号

技术参数
PIN, 砷化镓GaAs, 芯片式

产品介绍

该高数速NRZ/4X56Gbps PAM-4光电二极管芯片采用GaAs顶照1×4阵列PIN结构。特点是高倍增,低电容和低暗电流,光敏面大小为Φ35μm,信号和接地键合板设计在芯片顶部,便于线键合,应用于850nm 4X28Gbps/4X56Gbps PAM-4短距离数据光通信。 1. Φ35μm光探测窗口 2. 低暗电流 3. GSG焊盘设计 4. 芯片间距:250μm 5. 100%测试和外观检测 6. 高可靠性:本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求 7. 符合 RoHS2.0要求 (2011/65/EU) 应用领域 1. 200G SR4 2. 多模平行光纤光通信

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* 显示价格为参考价,此价格不含税、不含运费、不含关税,也不包含因安装或投入使用所产生的其他额外费用。参考价格可能因国家、原材料价格和汇率的不同而产生变化。