光电二极管集成电路片 XSJ-10-M-2000

InGaAsInP磷化铟

该正面入光的InGaAs/InP PIN监视光探测器芯片，是平面结构，阳极在正面，阴极在背面。光敏区尺寸是Φ2000μm，在980nm到1620nm波段范围内具有高响应度，主要用于各种LD的后向光功率监测和其他的监测。 1. 基于n+ InP 衬底的平面结构 2. Φ2000μm的光探测窗口 3. 高响应度 4. 低暗电流 5. 低工作电压 6. -40℃到85℃的工作范围 7. 高可靠性：本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求 8. 100%测试和外观检测 9. 客户化的芯片尺寸 应用领域 1. LD后向光功率监测