该底部光照型1X2阵列大光敏区的InGaAs/InP PIN监视光探测器芯片,是平面结构,阳极和阴极位于芯片顶部,光照区位于芯片的底部,且底部的光敏区尺寸是Φ100μm,在980nm到1620nm波段范围内有很高的响应度,主要应用于各种光功率的监测。
1. 基于SI InP 衬底的平面结构
2. 背照:Φ100μm光探测窗口
3. 1X2阵列,芯片间距:500μm
4. 高响应度
5. 低暗电流
6.阳极和阴极在顶部,正面焊线
7. -40℃到85℃的工作范围
8. 高可靠性:本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求
9. 100%测试和外观检测
10. 客户化的芯片尺寸
11. 符合RoHS2.0 要求(2011/65/EU)
应用领域
1. 光功率监测