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数字集成电路片 XSJ-10-EMPD-120R
光电二极管InGaAsInP磷化铟

数字集成电路片 - XSJ-10-EMPD-120R - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - 光电二极管 / InGaAs / InP磷化铟
数字集成电路片 - XSJ-10-EMPD-120R - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - 光电二极管 / InGaAs / InP磷化铟
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产品规格型号

技术参数
数字, 光电二极管, InP磷化铟, InGaAs

产品介绍

该XSJ-10-EMPD-120R是侧面入光的InGaAs/InP PIN监测光探测器芯片,为平面结构,阳极和阴极在正面,芯片侧面探测窗口是120μmX60μm,适合于数据中心和电信边射型激光器,在980nm到1620nm波段范围内有很高的响应度。适用于非气密性封装。 1. PN电极在顶部和适合非气密性封装 2. 侧边可探测区域:120μmX60μm 3. 高响应度和低暗电流 4. 低工作电压 5. -40℃到85℃的工作范围 6. 高可靠性:本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求 7. 100%测试和外观检测 8. 客户化的芯片尺寸 应用领域 1. LD后向光功率监测 2. FTTH数字光通信 3. 光互联

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* 显示价格为参考价,此价格不含税、不含运费、不含关税,也不包含因安装或投入使用所产生的其他额外费用。参考价格可能因国家、原材料价格和汇率的不同而产生变化。