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- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
数字集成电路片 XSJ-10-M-100-EI光电二极管InGaAsInP磷化铟
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产品规格型号
- 技术参数
- 数字, 光电二极管, InP磷化铟, InGaAs
产品介绍
该侧面入光的大光敏面InGaAs/InP PIN监测光探测器芯片，为平面结构，阳极和双阴极在正面，侧面可探测区域达到100μmX80μm，在980nm到1620nm波段范围内有较高的响应度，主要用于各种LD的后向光功率监测、FTTH数字光通信和光互联。
1. NPN电极位于顶部
2. 侧边可探测区域：100μmX80μm
3. 高响应度
4. 低暗电流
5. 低工作电压
6. -40℃到85℃的工作范围
7. 高可靠性：本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求
8. 100%测试和外观检测
9. 满足非气密性封装要求
应用领域
1. LD后向光功率监测
2. FTTH数字光通信
3. 光互联
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