光电二极管集成电路片 XSJ-10-M-500BM
InGaAsInP磷化铟

光电二极管集成电路片
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产品规格型号

技术参数
光电二极管, InP磷化铟, InGaAs

产品介绍

该正面入光的大光敏面InGaAs/InP PIN监视光探测器芯片,为平面结构设计,阳极位于芯片顶部,阴极位在底部,光敏区尺寸是Φ500μm,在1100nm到1700nm波段范围内有很高的响应度,主要用于各种LD的后向光功率监测。 1. Φ500μm的光探测窗口 2. 高响应度 3. 高线性度 4. 低暗电流 5. 低工作电压 6. 支持金锡共晶工艺 7. -40℃到85℃的工作范围 8. 高可靠性:本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求 9.100%测试和外观检测 10. 客户化的芯片尺寸 11. 符合RoHS2.0要求(2011/65/EU) 应用领域 1. LD背向光功率监测

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* 显示价格为参考价,此价格不含税、不含运费、不含关税,也不包含因安装或投入使用所产生的其他额外费用。参考价格可能因国家、原材料价格和汇率的不同而产生变化。