砷化镓GaAs光电二极管阵列 XSJ-10-G5-70-K4
PIN芯片式

砷化镓GaAs光电二极管阵列
砷化镓GaAs光电二极管阵列
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产品规格型号

技术参数
PIN, 砷化镓GaAs, 芯片式

产品介绍

该高速4X10Gbps光探测器芯片是GaAs正面入光的PIN结构,其特点是高响应度、低电容和低暗电流;光敏区的尺寸是Φ70μm,阳极和阴极焊盘位于正面是便于TO-CAN封装的焊线。主要应用于光纤通道传输、10Gigabit以太网和多模通信等。 1. Φ70μm光探测窗口 2. 低电容和低暗电流 3. 高响应度 4. 速率达到10Gbps 5. 芯片间距:250μm 6. 高可靠性:本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求 7. 100%测试和外观检测 应用领域 1. 850nm 10Gbps AOC(有源光缆)接收 2. 无线带宽 3. SONET/SDH

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* 显示价格为参考价,此价格不含税、不含运费、不含关税,也不包含因安装或投入使用所产生的其他额外费用。参考价格可能因国家、原材料价格和汇率的不同而产生变化。