光电二极管集成电路片 XSJ-10-M-200-01
InGaAsInP磷化铟

光电二极管集成电路片 - XSJ-10-M-200-01 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - InGaAs / InP磷化铟
光电二极管集成电路片 - XSJ-10-M-200-01 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - InGaAs / InP磷化铟
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产品规格型号

技术参数
光电二极管, InP磷化铟, InGaAs

产品介绍

该正面入光型大光敏区InGaAs/InP PIN监视光探测器芯片,为平面结构,阳极在正面,阴极在背面,光敏区尺寸是Φ200μm,在980nm到1620nm波段范围内有很高的响应度,主要用于各种LD的后向光功率监测。 1. 基于n+ InP 衬底的平面结构 2. Φ200μm的光探测窗口 3. 高响应度 4. 低暗电流 5. 低工作电压 6. -40℃到85℃的工作范围 7. 高可靠性:本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求 8. 100%测试和外观检测 9. 客户化的芯片尺寸 应用领域 1. LD后向光功率监测

PDF产品目录

* 显示价格为参考价,此价格不含税、不含运费、不含关税,也不包含因安装或投入使用所产生的其他额外费用。参考价格可能因国家、原材料价格和汇率的不同而产生变化。