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- 光电二极管集成电路片
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
光电二极管集成电路片 S570InGaAsInP磷化铟
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产品规格型号
- 技术参数
- 光电二极管, InP磷化铟, InGaAs
产品介绍
该接近光传感器是InGaAs/InP正照型光电探测器芯片，平面结构，阳极在正面，阴极在背面，光敏区尺寸是570um*570um，具有高ESD、低暗电流等特点，在1300nm~1550nm波长范围内有很高的响应度，在300nm~750nm波长范围的响应度极小，解决了OLED 屏光接收问题。
1. 高ESD设计
2. 正面为阳极，背面为阴极
3. 低暗电流
4. 高响应度、高倍增
5. 570μm x 570μm方形光敏区
6. 高可靠性：本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求
应用领域
1. 0环境光感应
2. 手机触摸屏禁用
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