雪崩光电二极管阵列 XSJ-10-APD3A-200X-K10
芯片式

雪崩光电二极管阵列 - XSJ-10-APD3A-200X-K10 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - 芯片式
雪崩光电二极管阵列 - XSJ-10-APD3A-200X-K10 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - 芯片式
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产品规格型号

技术参数
雪崩, 芯片式

产品介绍

雪崩光电二极管芯片(Avalanche Photodiode Chip)简称APD Chip,是一种具有内部倍增光电流的光接收芯片。该1X10阵列产品光敏面直径为200μm正面入光,便于光纤对准,上下电极结构;高响应度(M=1;1550nm典型值1.05A/W),高倍增(典型值:M>10,VBR-2V),低暗电流(典型值:10nA,0.9VBR V)。高性能大光敏面的1.25Gbps APD Chip封装成单管的TO-CAN可以提高光接收机的灵敏度,广泛用于光时域反射计。 1. Φ200μum光探测窗口 ,1X10阵列 2. 芯片间距:340μm 3. 正面为阳极,背面为阴极 4. 低暗电流 5. 高响应度、高倍增 6. 速率达到1.25Gbps 7. 高可靠性:本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求 8. 100%测试和外观检测 应用领域 1. 光时域反射计 2. 激光测距/距离测量 3. 空间光传输 4. 低光级探测 5. 激光告警和激光雷达

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* 显示价格为参考价,此价格不含税、不含运费、不含关税,也不包含因安装或投入使用所产生的其他额外费用。参考价格可能因国家、原材料价格和汇率的不同而产生变化。