芯片式LED 161230

可见光高速大功率

基于材料系统（Al,In,Ga）P，我们提供可见光范围为560纳米至660纳米的LED芯片。我们提供基于客户需求的定制化芯片分档。通过这些芯片技术，我们可以满足235 x 235 µm至1960 x 1960 µm边长的高功率和低功率芯片的需求。此外，我们能够设计和生产定制的电接触结构和芯片尺寸，为客户量身定做解决方案。 OSA Opto Light GmbH是您开发和生产标准和定制设计的LED芯片的合作伙伴，例如。 - 高功率芯片 - 高速芯片 - 单片显示器 - 特殊芯片设计 基于(Ga,Al)As, Ga(As,P)和(Al,In,Ga)P的材料体系，我们提供了可见光(550-650nm)和近红外(660-1140nm)范围内的LED芯片的广泛产品范围。有了这些芯片技术，我们可以满足低强度范围的需求，也可以满足高效芯片的需求。 红外线方面的能力 我们的主要竞争力之一是无衬底（Ga,Al）As技术，这使我们能够为客户提供λp=635-1140纳米波长范围内的LED芯片，具有较高的外部量子效率和良好的长期稳定性。发射波长可以以5至10纳米为单位进行选择，并且可以提供狭窄的波长选择（低至±3纳米的公差）。当客户充分注意应用中的热控制时，OSA Opto Light GmbH可以用我们的产品覆盖整个波长范围。我们的(Ga,Al)As技术提供的芯片没有二次峰值。有些设计是为短至5ns的开关时间开发的。