IMS5420-TH 白光干涉仪为单晶硅片的工业厚度测量开辟了新的前景。IMS5420-TH 采用宽带超发光二极管 (SLED),可用于测量未掺杂、掺杂和高掺杂的单晶硅片。厚度测量范围从 0.05 毫米到 1.05 毫米。可测量的气隙厚度甚至可达 4 毫米。
在半导体生产中,高精度是必不可少的。一个重要的工艺步骤是研磨坯料,从而使其达到均匀的厚度。为了持续控制厚度,我们开发了干涉仪 IMS5420 系列白光干涉仪。
这些干涉仪均由一个紧凑型传感器和一个控制器组成,安装在坚固的工业级外壳中。控制器中集成的主动温度控制确保了测量的高稳定性。
干涉仪既可作为厚度测量系统,也可作为多峰值厚度测量系统。多峰值厚度测量系统可测量多达五层的厚度,例如 >50 µm 的晶片厚度、气隙、薄膜和涂层。对于在恶劣环境条件下的厚度测量,IMS5420IP67 控制器具有 IP67 防护等级和不锈钢外壳,以及配套的光纤和传感器。
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