室式炉 TA-200

用于熔化晶体生长电动

我们采用 Czochralski 方法种植实验室尺寸晶体的成本最低的炉是采用晶体生长选项的弧熔炉 TA-200。 该选项添加了用于种植半导体材料（硅、锗和砷化镓）、金属、盐类和合成宝石的单晶的所有组件。 该炉使用三个电弧，能够熔化超过 3500 ℃ 的材料。一个晶体种子附在种子杆上，然后降低到 2 ″（50 毫米）坩埚中，保持熔体。 这些控件被编程以拉动生长的晶体。 拉动速度可调节，可精确控制低至 0.001 mm/min。 提供一个单独的电机来旋转 3/8” 种子棒，最大拉力高度为 7 ″（176 毫米）。 底部坩埚也可配备旋转电机。