室式炉

碳氮共渗淬火烧结

该晶体生长炉允许使用布里奇曼、Czochralski 或斯捷潘诺夫法生产实验室大小的晶体。 这种技术用于种植半导体材料（硅、锗和砷化镓）、金属、盐类和合成宝石的单晶体。 拉动速度可调节，可精确控制低至 0.001” / min（0.025毫米/分钟）。 提供一个单独的电机来旋转 3/8” 种子棒。 我们的晶体生长选件也可以安装到使用顶部腔室端口的选定前负载 MRF 炉上，例如我们的多用途实验室炉或选定的弧熔化炉。