罗技的SWC4000提供单晶硅清洁独立系统,用于对MEMS和半导体行业使用的晶圆和掩模进行无损伤的优化清洁。
SWC4000系统提供了可控的化学品分配能力,可以加强试样表面的颗粒去除。利用化学分配功能和超声清洗技术可以实现高度优化的清洗。
通过去离子水的径向流动,将释放的颗粒从基体表面扫除。如果没有这个功能,固定式清洗槽会有更多的颗粒重新附着,因此需要更多的清洗时间来清除。
SWC4000系统能够用加热的N2或IPA进行原位旋转干燥。以最低的资本投资和拥有成本实现了 "干进干出 "的一步处理。SWC系统的加工时间可以在每块基材3-5分钟之间变化,这取决于所使用的尺寸和清洁选项。
SWC4000系统的占地面积小,使它们成为任何空间有限的洁净室的理想解决方案,这些洁净室需要在各种基质上有卓越的清洁能力。
主要特点
设计用于清洗高达300毫米/12英寸的单晶硅
是清洗有图案和无图案的锗(Ge)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)晶圆的理想选择。
是CMP后清洗、晶圆架上切碎的芯片清洗、等离子蚀刻或光刻胶剥离后的清洗、掩膜坯或接触掩膜清洗和光学透镜清洗的完美解决方案
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