与光电倍增器类似,雪崩光电二极管用于检测极弱的光强。 Si APD 在 250 至 1100 纳米的波长范围内使用,InGAs 用作 APD 中的半导体材料,波长范围为 1100 至 1700 纳米。
APD 模块
快速可靠地检测光线。 APD 模块中已经包含了用于操作雪崩光电二极管的驱动器。
由激光组件 APD 模块制造的
APD 模块能够在激光雷达、测距、数据传输或生物医学分析等各种应用中快速简单地检测非常低的光水平。
APD 模块基于由硅或 InGaA 制成的低噪声雪崩光电二极管,内置前置放大器和高压电源。 温度补偿功能允许 APD 在宽工作温度范围内以恒定增益运行。
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