等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 是一种利用等离子体内的能量来加速晶圆表面化学反应从而在低于 400°C 的温度下生产薄膜的工艺。沉积过程中出现的高能离子轰击可用于调整薄膜的电气和机械性能。SPTS Delta™ PECVD 系统已广泛用于先进封装、射频、功率、光子设备和 MEMS 市场,尤其是需要低处理温度的应用。Delta™ fxP 集群系统可为各种介电薄膜提供全面的工艺库,且沉积温度介于 80°C 至 400°C。该系统还提供单晶圆和多晶圆预热腔体选项以便对敏感基板进行脱气,以及针对晶圆背面沉积的边缘接触处理能力。
• 适用于混合结合的 SiCN,以及适用于芯片间间隙填充的厚型 SiO
• 提供 TSV 衬垫和通孔钝化
• 提供适用于功率芯片的 SiN 钝化,以及具备低功率、低损伤特性的 GaN 选项
• 带弓形补偿的低温背面膜
• 适用于 MIM 电容器和 GaAs 器件钝化的高度均匀 SiN
• 适用于主动和被动光子设备的调谐 RI 和掺杂薄膜