温度测量系统 EtchTemp series

晶圆用

等离子蚀刻晶圆温度（20° 至 140°C）测量系统 EtchTemp Series 晶圆温度测量系统，可用于 300mm 和 200mm 配置，记录等离子蚀刻工艺环境对真实工艺条件下生产晶圆的影响。 EtchTemp-HD 测量系统包含高密度传感器，能够实现晶圆整体温度监测，而这与导体蚀刻工艺的 CD 均匀性控制密切相关。 EtchTemp-HD 无线晶圆通过测量与产品工艺接近条件下的温度数据，可以帮助工艺工程师完成调整蚀刻工艺条件，验证及匹配腔体、和PM后的验证等工作。 主要应用 工艺开发，工艺验证，工艺设备监测，工艺设备验证，腔体匹配，工艺设备匹配 绝缘材料等离子蚀刻（EtchTemp）、导体等离子蚀刻（EtchTemp-HD、EtchTemp SE-HD、EtchTemp-SE）、离子注入 | 20-140°C 相关产品 EtchTemp-HD: 在真实工艺条件下，用于测量多区域静电吸附盘 (ESC) 晶圆工艺的温度数据。 EtchTemp-LT: 在真实工艺条件下，用于测量温度低于 20°C 的晶圆蚀刻工艺的温度数据 EtchTemp-HP: 在真实工艺条件下，用于测量高功率、高深宽比的contact (HARC) 蚀刻晶圆工艺温度数据 EtchTemp-SE: 在真实工艺条件下，用于测量高功率、高频率的硅蚀刻晶圆工艺温度数据 EtchTemp: 在真实工艺条件下，用于测量高功率、高频率的绝缘材料蚀刻晶圆工艺温度数据