闪存内存 BiCS FLASH™

NAND用于移动应用高速

东芝在1987年发明了NAND闪存并率先于1991年量产NAND闪存。至此，东芝一直致力于缩小设计规则和工艺节点以提高NAND闪存的容量。 然而， 工艺过渡面临诸多挑战。通过传统的平面NAND闪存技术来进一步增大容量已经变得极为困难。 为了解决这个问题，东芝发明了闪存芯片垂直层叠的全新工艺。2007年，东芝率先发布了三维（3D）闪存层叠技术。通过进一步开发，东芝推出了3D闪存：BiCS FLASH™ 目标应用 随着物联网（IoT）的出现，社交网络（SNS）的流行和更高分辨率的照片和视频的产出，世界范围内产生的数据量呈现指数式的增长。 在信息处理领域，实时性能非常重要。大数据系统需要管理大量数据，并将数据分类储存在数据中心和云服务系统中。这种情况下，大容量的存储系统需要高速且低功耗地处理、存储和管理大量数据。 另外，在智能手机、平板电脑、存储卡和其他对功耗敏感的应用中，对低功耗存储的需求也与日俱增。 BiCS FLASH较传统的平面型NAND闪存有诸多优点。它将成为满足市场需求的解决方案。 BiCS FLASH的产品特点 高密度和大容量 垂直层叠的三维（3D）闪存—BiCS FLASH，较之前最先进的技术—二维（2D）闪存，有更高的单位面积芯片密度。此外，通过优化电路设计和生产工艺， BiCS Flash进一步缩小了芯片尺寸。2017年6月28日发布的96层BiCS FLASH在单位面积内可以提供的存储容量大约是64层BiCS FLASH的1.4倍。 更快的编程速度 在BiCS FLASH中存储单元之间的空间远大于2D NAND闪存。这就可以通过增加单次编程序列（One-shot programming sequence）中的数据量来提高编程速度。 高可靠性 BiCS FLASH的存储单元之间更大的空间也减少了单元间的耦合效应。进而提高了可靠性。 低功耗 BiCS FLASH降低了每单位数据编程时的功耗。与2D NAND闪存相比，BiCS FLASH每单次编程序列所写入的数据更多（即：更快的编程速度）。