IDESSD YS44H6 series

内部

YS44H6-XXXS 是由非易失性 NAND 闪存和半导体元件组成的高性能、高可靠性存储设备。这项技术旨在优化传统硬盘驱动器运算性能低的局限性。所有机械零件均由电子元件取代，以防止冲击和振动造成损坏。 规格 尺寸 - 长 48.0mm * 宽 32.0mm * 高 4.0mm 误差 ±0.5mm 4K 随机读取（IOPS）- 3000（32GB） 4K 随机写入（IOPS）- 610（32GB） 输入电压 - DC 3.3V±5 空闲功耗 - 0.44W(32GB) 活动功耗 - 1.20W（32GB） 数据保存 - 25 度以下 10 年 MTBF - 2 百万小时 ECC - 硬件 BCH ECC，能够纠正高达 72bit/1KB 的错误 功能 - 电源管理/TRIM/S.M.A.R.T./NCQ/平均损耗 工作温度 - 0℃~70℃ 存储温度 - -40℃~85℃ 湿度 - 5-95 振动 - 80Hz~2000Hz/20G 冲击 - 1500G/0.5ms