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MOSFET晶体管 IPD40DP06NM功率开关雪崩
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产品规格型号
- 类型
- MOSFET
- 类型
- 功率, 开关
- 其他特性
- 雪崩
- 电流
-4.3 A
- 电压
-60 V
产品介绍
DPAK封装的OptiMOS™ P沟道MOSFET 60V代表了针对电池管理、负载开关和反极性保护应用的新技术。P沟道器件的主要优点是降低了中、低功率应用的设计复杂性。它与MCU的简单接口、快速开关以及雪崩的坚固性使它适合于高质量要求的应用。它有普通级和逻辑级，具有较宽的RDS(on)范围，并由于低Qg而提高了低负载下的效率。
特点概述：
宽广的RDS(on)范围
可提供正常水平和逻辑水平
优点：
易于与MCU接口
由于低Qg，在低负载时效率提高
快速开关
雪崩式的坚固性
潜在的应用
电池
消费者
工业自动化
工业驱动
工业驱动
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