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MOSFET晶体管 ISP650P06NM功率开关雪崩
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产品规格型号
- 类型
- MOSFET
- 类型
- 功率, 开关
- 其他特性
- 雪崩
- 电流
-3.7 A
- 电压
-60 V
产品介绍
采用SOT-223封装的OptiMOS™ P沟道MOSFET非常适用于负载开关、电池管理以及反极性保护应用。OptiMOS™ P沟道MOSFET的主要优点是简化了中、低功率应用的设计复杂性。英飞凌的OptiMOS™ P沟道MOSFET易于与微控制器单元（MCU）连接，具有快速开关和雪崩坚固性，因此适用于高质量要求的应用。由于Qg较低，该产品在低负载时可提高效率，并有正常和逻辑电平两种类型，具有较宽的RDS（on）范围。
特点概述：
宽广的RDS(on)范围
可提供正常水平和逻辑水平
优点：
易于与MCU接口
由于低Qg，在低负载时效率提高
快速开关
雪崩式的坚固性
潜在的应用
电池
消费类
工业自动化
工业
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