MOSFET晶体管 IPD380P06NM
功率开关雪崩

MOSFET晶体管 - IPD380P06NM - Infineon Technologies AG/英飞凌 - 功率 / 开关 / 雪崩
MOSFET晶体管 - IPD380P06NM - Infineon Technologies AG/英飞凌 - 功率 / 开关 / 雪崩
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产品规格型号

类型
MOSFET
类型
功率, 开关
其他特性
雪崩
电流

-35 A

电压

-60 V

产品介绍

DPAK封装的OptiMOS™ P沟道MOSFET 60V代表了针对电池管理、负载开关和反极性保护应用的新技术。P沟道器件的主要优点是降低了中、低功率应用的设计复杂性。它与MCU的简单接口、快速开关以及雪崩的坚固性使它适合于高质量要求的应用。它有普通级和逻辑级,具有较宽的RDS(on)范围,并由于低Qg而提高了低负载下的效率。 特点概述: 宽广的RDS(on)范围 可提供正常水平和逻辑水平 优点: 易于与MCU接口 由于低Qg,在低负载时效率提高 快速开关 雪崩式的坚固性 潜在的应用 电池 消费类 工业自动化 工业驱动

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展厅

该卖家将出席以下展会

MWC 2025
MWC 2025

3-06 3月 2025 Barcelona (西班牙) 展会 2.1 - 展台 2.1A50Ex, 2.1A52Ex

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