MOSFET晶体管 BSC027N10NS5
功率

MOSFET晶体管 - BSC027N10NS5 - Infineon Technologies AG/英飞凌 - 功率
MOSFET晶体管 - BSC027N10NS5 - Infineon Technologies AG/英飞凌 - 功率
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产品规格型号

类型
MOSFET
类型
功率
电流

194 A

电压

100 V

产品介绍

描述: 英飞凌采用 SuperSo8 封装的 OptiMOS™ BIC MOSFET 扩展了 OptiMs™ 3 和 5 产品组合,并提高了功率密度,满足了降低系统成本和提高性能的需求。 低反向恢复电荷 (Qrr) 可显著降低电压过冲,从而最大限度地减少对缓冲电路的需求,从而降低了工程成本和精力,从而提高了系统可靠性。 关键功能 最低 RDS (on) 可实现最高的功率密度和效率; 工作温度额定为 175° C,提高可靠性; 低 RTHJC,具有出色的热性能;低 反向恢复电 荷 (Qrr) 关键优势低满载温度低并 联性 减少过冲 增加系统功率密度 小尺寸 系统成本降低 工程成本和减少工作量 目标应用 服务器 电信 电动工具 低压驱动 D 类音频应用

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展厅

该卖家将出席以下展会

MWC 2025
MWC 2025

3-06 3月 2025 Barcelona (西班牙) 展会 2.1 - 展台 2.1A50Ex, 2.1A52Ex

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    * 显示价格为参考价,此价格不含税、不含运费、不含关税,也不包含因安装或投入使用所产生的其他额外费用。参考价格可能因国家、原材料价格和汇率的不同而产生变化。