英飞凌采用SuperSO8封装的OptiMOS™ BiC MOSFET扩展了OptiMOS™ 3和5产品系列,除了改善稳健性外,还能实现更高的功率密度,满足了降低系统成本和提高性能的需求。
低反向恢复电荷(Qrr)通过大幅减少电压过冲,提高了系统的可靠性,从而最大限度地减少了对缓冲电路的需求,降低了工程成本和工作量。
主要特点
最低的RDS(on)实现了最高的功率密度和效率
更高的工作温度等级,达到175℃,提高了可靠性
低RthJC,具有出色的热性能
更低的反向恢复电荷(Qrr)。
主要优点
更低的满负荷温度
更少的并联
减少超调现象
增加系统功率密度
更小的尺寸
降低系统成本
减少工程成本和工作量
目标应用
服务器
电信
电动工具
低电压驱动
D类音频应用
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