MOSFET晶体管 BSC112N06LD
功率

MOSFET晶体管 - BSC112N06LD - Infineon Technologies AG/英飞凌 - 功率
MOSFET晶体管 - BSC112N06LD - Infineon Technologies AG/英飞凌 - 功率
添加到我的收藏夹
添加到产品对比表
 

产品规格型号

类型
MOSFET
类型
功率
电流

57 A

电压

60 V

产品介绍

效益: 双重超级SO8封装,功率密度高(占地面积最小) 优异的耐热性能 高达175℃的工作温度 由于Qgd/Qgs<0.8,具有很高的抗击穿能力 无铅镀层,符合RoHS标准 潜在的应用 SMPS 感应式无线充电 负载开关 电池管理系统 低压驱动器

---

PDF产品目录

展厅

该卖家将出席以下展会

MWC 2025
MWC 2025

3-06 3月 2025 Barcelona (西班牙) 展会 2.1 - 展台 2.1A50Ex, 2.1A52Ex

  • 更多信息

    Infineon Technologies AG 的其他产品

    Power MOSFET

    * 显示价格为参考价,此价格不含税、不含运费、不含关税,也不包含因安装或投入使用所产生的其他额外费用。参考价格可能因国家、原材料价格和汇率的不同而产生变化。