MOSFET晶体管 IPAN60R600P7S

功率开关

超结 (SJ) MOSFET 是 CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。 特征描述 效率 支持优异 FOM R DS(on)xE oss 和 R DS(on)xQ G 使用方便 集成 ESD 二极管，从 180mN 起且高于 R DS(on)s 集成栅极电阻器 R G 坚固体二极管 涵盖通孔和表面封装的丰富产品线 标准级和工业级部件可供选择 优势 效率 优异 FOM R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss，实现更高效率 使用方便 避免 ESD 故障，在制造环境中确保易用性 集成 R G 降低 MOSFET 振荡敏感度 MOSFET 适用于 PFC 和 LLC 等硬开关拓扑和谐振开关拓扑 在 LLC 拓扑中体二极管通信中具有优异稳健性 广泛适用于各种终端应用和输出功率 可选部件适用于消费和工业应用 潜在应用 电视电源 工业 SMPS 服务器 通信 照明