闪存内存 UD310/220

NAND

面向 5G 智能手机的新一代移动 NAND 闪存 推陈出新（V7 NAND 和新 SoC） 在成熟稳健的技术平台支持下，SK hynix 的 NAND 闪存产品系列在单芯片密度和可用容量配置方面不断发展。现在，我们推出 UD310 (UFS3.1) 和 UD220 (UFS2.2)，它们是基于我们最新的 176 层 4D NAND 的大容量高性能移动存储，采用更小更薄的封装，以满足 5G 智能手机的严格要求。 UD310 全球首款采用 176 层 NAND 闪存的 UFS3.1 SK hynix 的 UFS3.1 使全球首款采用 V7 NAND 闪存技术的智能手机成为可能。 节省空间的封装 UD310 的封装尺寸缩小到 11x13mm，Z 高度降低到 0.8mm，可轻松安装在 5G 手机和各种移动设备中，同时发热更低，运行更省电。 代际性能大幅提升 我们的 UFS3.1/UFS2.2 采用 V7 NAND，与 UFS3.0/UFS2.1 相比，性能大幅提升。