内存模块 HBM3E

HBM3E 继续引领人工智能市场 继HBM3取得成功之后，SK hynix又推出了HBM3E，以巩固其在人工智能内存市场无可匹敌的领导地位。HBM3E 是 HBM3 的扩展版本，它的供应规模是业界最大的 HBM 量产规模，有助于加快业务周转。 热阻和能效提高 10 SK hynix 率先开发了 MR-MUF（大规模回流焊填充）封装技术。这项技术通过回流焊将芯片粘合在一起，同时用液态材料填充缝隙，对开发高热导率 HBM 具有重要意义。结合芯片控制技术，不仅可以防止晶圆翘曲，还增加了一种新的填充材料，以进一步改善散热效果。与上一代产品相比，先进的 MR-MUF 使 HBM3E 的散热性能提高了 10%，同时功率效率也提高了 10%。 相同封装尺寸下的 x1.5 容量和带宽 HBM3E 的最大容量为 36GB，每引脚最大数据传输速率为 9.2Gbps，最大带宽超过每秒 1.18TB，在容量和带宽方面都比 HBM3 提高了 1.4 倍。