用于5G智能手机的下一代移动NAND闪存存储器
最新与新的结合(V7 NAND和新的SoC)
SK hynix的NAND闪存阵容在单片密度和可用容量配置方面继续发展,并由一个成熟和强大的技术平台支持。现在,我们推出了UD310(UFS3.1)和UD220(UFS2.2),这是基于我们最新的176层4D NAND的高容量和高性能移动存储,安装在一个更小和更薄的封装中,以满足5G智能手机的严格要求。
UD310
世界上第一个采用176层NAND闪存的UFS3.1系统
SK hynix的UFS3.1实现了世界上第一个采用V7 NAND闪存技术的智能手机。
节省空间的封装
UD310的封装尺寸缩小到11x13mm,Z高度降低到0.8mm,可以舒适地安装在5G手机和各种移动设备中,同时发热更低,运行更高效。
显著的跨代性能改进
在V7 NAND的支持下,我们的UFS3.1/UFS2.2与UFS3.0/UFS2.1相比实现了大幅度的性能提升。
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