DRAM内存模块 H5UG7HME03X020R

DDR5

开创高端内存新纪元的终极 DRAM 2021年10月开发出全球首款HBM3 在 HBM2E 量产后的短短 15 个月内，SK hynix 通过开发 HBM3 巩固了其在高速 DRAM 领域的领先地位，HBM3 是用于数据中心、超级计算机和人工智能等尖端技术的最新高带宽内存。 先进的散热技术 在相同的工作电压下，HBM3 的运行温度比 HBM2E 低，从而提高了服务器系统环境的稳定性。在同等工作温度下，SK hynix HBM3 可以支持 12 层堆栈，容量是 HBM2E 的 1.5 倍，I/O 速度为 6Gbps，带宽是 HBM2E 的 1.8 倍。因此，在相同的工作条件下，SK hynix 拥有更大的冷却能力，实现了其 Memory ForEST* 计划。 性能提升 SK hynix HBM3 在相同封装高度下堆叠 12 个 DRAM 芯片，容量是 HBM2E 的 1.5 倍，适用于人工智能和高性能计算等容量密集型应用。单个立方体可产生高达 819GB/s 的带宽，而在同一硅片上使用六个 HBM 芯片的 SiP（系统级封装）可达到高达 4.8TB/s 的带宽，以支持超大规模需求。 片上 ECC SK hynix HBM3 还具有强大的定制设计的片上 ECC（纠错码），它使用预先分配的奇偶校验位来检查和纠正接收到的数据中的错误。嵌入式电路允许 DRAM 在单元内自我纠错，大大提高了器件的可靠性。