DRAM内存模块 H5WRAGESM8W-N8L

高速

散热性能更强、速度最快的 DRAM 最快的 DRAM 解决方案 SK hynix 的 1ynm 16Gb HBM2E 是业界最快的内存，I/O 速度达到 3.6Gbps，每秒可使用 1,024 个 I/O 处理 460GB 的数据。与之前的 HBM2 相比，我们的新型 HBM2E 的散热性能提高了 36%，是一款真正高效的内存，可为您的系统提供强劲的性能。 HBM 性能趋势 SK hynix 引领着 HBM 市场，雄心勃勃地寻求更快的 HBM 解决方案：我们正在开发的 HBM3 将能够以 819GB/s 或更高的速度处理数据，每引脚速度为 6.4Gbps。在相同的工作负载下，HBM 的能效是 DDR 或 GDDR 的 2 倍以上，从而降低了总体拥有成本（TCO）--这正是我们 Memory ForEST* 计划的精髓所在。 散热改进 我们的 HBM2E 比 HBM2 的散热性能提高了 36%，在相同的工作条件下，平均散热温度降低了 14 摄氏度。 高达 9 倍的带宽，2 倍于一代的容量提升 与 DDR5 的 2.4GB/s 带宽和 GDDR6 的 64GB/s 带宽相比，HBM2E 的性能最多可提高 9 倍，每秒可处理 460GB 的数据。与 HBM2 的 8GB 核心芯片密度相比，HBM2E 通过组合 8 个 16GB DRAM 芯片实现了 16GB 解决方案，密度比上一代 HBM2 提高了一倍。