光谱仪 EV-140C

该发射分析型终点监测仪用于等离子体半导体薄膜工艺中的终点检测或等离子体条件控制。新开发的 Rapture Intensity 算法通过捕捉微弱的信号变化来实现终点检测。捕捉细微发射变化的能力显著提高了灵敏度。增强的抗干扰度确保了在恶劣环境下全天候生产线的高度稳定运行。 开口率为 F/2 的亮光栅 使用 HORIBA Jobin Yvon 制造的直径为 70 毫米的像差校正凹面光栅可组建明场光学系统。凹面光栅本身的聚光能力可构建比 Czerny-Turner 分光镜更亮的简单光学系统，且能降低镜子和其他反射表面引起的反射损失。 背照式 CCD 线传感器提供 2,048 条高灵敏度和高分辨率通道 背照式 CCD 实现了高量子效率，确保从紫外到可见光的宽光谱范围内的稳定光谱。紫外区的高灵敏度测量可以在受干扰影响较小的波长范围内实现终点检测。 用于先进制程控制的 Sigma-P 软件 该软件执行制程控制所需的各种步骤，从等离子体性能分析到测量数据的数据库创建和制造设备的远程控制。 测量配方的可编程结构允许设置多个检测条件和顺序处理。这使得该监测仪不仅可用于终点应用，还可用于全面的等离子体条件监测。 配方设置示例 这是一种先进的配方设置，可对异常等离子体条件发出警告，并使用两个波长之间的比值进行终点测量。 重处理功能 获得光谱数据后，通过应用新的配方条件，可以根据需要重复执行配方优化或终点检测模拟。 标配一个用于识别等离子体发射种的数据库。 光谱数据可以转换成时间进程图，或者可以使用屏幕布局、操作波形、与参考数据的比较计算波形以及其他信息在屏幕上自由显示。