InGaAs光电二极管 G14858-0020AA

雪崩

这款 InGaAs APD（雪崩光电二极管）通过使用新的器件结构和改进处理，大大减少了现有产品的暗电流。G14858-0020AA 用于测距、微弱测光等。 特点 - 低暗电流 - 低电容 - 高灵敏度 详细参数 • 像素数 : 1 • 受光面 : φ0.2 mm • 封装 : 金属 • 封装类别 : TO-18 • 灵敏度波长范围 : 950 至 1700 nm • 最大灵敏度波长（典型值） : 1550 nm • 感光灵敏度（典型值） : 0.8 A/W • 暗电流（最大值） : 50 nA • 截止频率（典型值） : 900 MHz • 结电容（典型值） : 2 pF • 击穿电压（典型值） : 65 V • 击穿电压温度系数（典型值） : 0.1 V/°C • 测量条件 : Ta = 25°C，感光灵敏度：λ = 1.55 μm，M = 1