测量探头 |Z| Probe® Power

电阻反射

对在世界任何地方获取丰富内容的需求正在推动信息的无线传输的增长。这增加了对无线系统中的射频功率器件和新技术的需求，如GaN和SiC。这反过来又要求在晶圆级对这些新技术进行表征，这大大减少了开发新模型所需的时间。这些模型被用于新的器件设计，然后进一步在无线传输系统（基站、卫星等）中实施，以满足对内容渴望的消费者的需求。 为了在晶圆水平上对射频功率器件进行高度精确的表征，基于成熟的|Z|探针技术的|Z|探针®功率可在高频率（高达40 GHz）下处理高功率。|Z| Probe Power具有出色的接触重复性和极低的接触电阻，可在负载拉动测量设置中提供准确的结果，而这正是表征射频功率器件的典型方法。 由于在负载拉动和噪声参数测量中必须保持较低的插入损耗，以确保高反射系数 (Γ)，|Z|探针电源的设计提供了极低的插入损耗。这意味着您可以获得更精确的测量，特别是在非50Ω阻抗下。