碳化硅MOSFET NCS025M3E120NF06 series

碳化硅

Onsemi 荣幸地推出裸片形式的第三代 EliteSiC 碳化硅 (SiC) MOSFET，该产品针对电动汽车牵引逆变器、DC-DC 转换器和板外充电器等高功率应用进行了优化。 M3e 产品系列基于 onsemi 最新一代 SiC MOSFET 技术，具有同类产品中最低的导通电阻，优化的顶层和背层金属选择适合多种封装技术，包括焊接、烧结、焊线、晶顶铜和带状键合。通过使用 onsemi 的 M3e 产品，封装灵活性有助于减小系统尺寸、重量和应用复杂性，同时提高电动汽车牵引逆变器应用的功率密度和效率。 从基于硅的解决方案转向基于碳化硅的解决方案，有助于将电池电动汽车牵引逆变器的效率和续航里程提高 5%。 应用领域 牵引逆变器的主要应用 高压 DC/DC 转换器 车外充电器 终端产品 1200V SiC MOSFET 裸片 特性 第三代 SiC MOSFET 高阻塞电压 1200V 低温度传导损耗