用于电子行业的铝箔往往具有较高的质量要求。只有高纯铝才能用于生产制造高压电极铝箔。
铝箔的纯度主要取决于操作电压。AI3N8主要用于低压应用,而AI4N(AI 99.99 %)则用于高压方面。
热处理过程采用极纯的保护气氛,目的在于在铝箔表面获得完全一致的氧化铝层,并促进后续工艺中的隧道型腐蚀。材料在550°C和620°C之间的退火温度下进行处理,气氛露点必须低于-30°C。
为了满足这些严格的标准,退火必须在炉内进行,且炉内配备气密和真空密封的蒸馏器。HICON 罩式退火炉是该应用的最优之选。
HICON 罩式退火炉具备以下优点:
中等真空度的金属外壳设计
在真空或保护气氛下,实现灵活的加热和冷却曲线
真空密封的炉内空间