AL5801 将 100V N 沟道 MOSFET 与预偏置 NPN 晶体管结合在一起,从而制作一个简单、小占地面积° C 驱动器。 ° C 电流由一个从 REXT 引脚 (4) 连接到 GND 引脚 (6) 的外部电阻器来设定。 内部预偏置晶体管在外部电阻上发展约 0.56V。 AL5801 开漏输出可在 1.1V 至 100V 范围内工作,从而无需额外元件即可工作 5V 至 100V 电源。 可通过使用外部集电极 NPN 晶体管或漏极开路 N 沟道 MOSFET 驱动 BIAS 引脚 (1) 来实现° C 电流的 PWM 调光。 AL5801 采用一个 SOT26 封装,非常适合驱动高达 350 mA 的° C 电流。
具有
反馈引脚基准电压 VRSET = 0.56V,
温度范围为
1.1V 至 100V 开漏输出
负温度 VRSET 系数在高温
无铅表面处理时自动降低° C 电流;符合 RoHS 标准的
卤素和锑。 “绿色” 器件
低热阻抗 SOT26 封装,带铜引线框架
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