溅射镀膜机 Discovery V

磁控溅射微电子行业

Discovery V是在Versa Cluster平台上使用的最佳设备。它提供了严格的均匀性、高深度率、小尺寸和高正常运行时间，在满足大批量生产需要的同时提供了多功能性和可靠性。 薄膜电阻和传感器 晶片金属和电介质薄膜 复合半导体的金属触点 研究与开发 Discovery V是一个快速均匀沉积模块，完全集成在Versa平台上，使用一个平面阴极进行磁控溅射。它采用300毫米阴极，可用于标准的高达200毫米的晶圆应用。它采用了一个可调节的旋转磁铁组来优化均匀性，并为大批量制造提供高比率。 在平面阴极配置中，阴极直接安装在基片上方。有了这种配置，在溅射过程中，您可以在基片的一侧获得严格的均匀性，如薄膜厚度、片状电阻和折射率等特性。对于不要求共溅射的应用，这是理想的配置。这种阴极设置还提供了改进的产量、良好的提升能力和高沉积率。