NAND内存 69FxxG16

异步

DDC 64、128 和 256 GB 高密度 NAND 闪存具有 x16 宽总线。 该 NAND 闪存采用单级单元 (SLC) NAND 技术。 SLC NAND 每个存储单元存储 1 位数据，提供快速的读写功能和启动时间，出色的耐久性和可靠性。 DDC 获得专利的 RAD-PAK 封装技术在微电路封装中集成了辐射屏蔽。 它不再需要箱体屏蔽，同时提供在轨道或空间飞行任务中的一生所需的辐射屏蔽。 RAD-PAK 根据空间飞行任务提供了大于 100 krads (Si) 总剂量耐受性. 本产品提供高达 DDC 微电子自定义 S 级的筛选功能。 高密度 64、128 或 256 Gb 支持更高速度的设计，电容更少/更少的 I/O，以驱动 NAND 闪存接口 单电池 (SLC) 技术 ONFI 2.2 兼容 工作电压 VCC 3.0 至 3.6V VCCQ 1.7 至 1.95V 或 3.0 至 3.6V 页面大小 8640 字节（8192 + 448 个备用字节） 支持外部 BCH 校正算法（每 540 个字节 16 位校正） 特 性高可靠性数据存储，适 用于苛刻的空间应用 屏蔽 等级 E、I、H 或 K 级 加 速至异步定时模式 5（50 兆吨/秒） 温度范围 -55°C 至 125°C 耐久 60 000 个循环（典型值）