Cree LED 的 EZBright® LED 芯片是最新一代的固态 LED 发射器,它将高效 InGaN 材料与 Cree LED 专有的光学设计和器件技术相结合,为高亮度 LED 提供了卓越的价值。该光学设计最大限度地提高了光提取效率,并
实现了朗伯辐射模式。
EZ™ LED 芯片可使用助焊剂共晶法以及导电环氧树脂、焊膏或焊料预型件进行连接。这些垂直结构的低正向电压 LED 芯片高度约为 170 µm。Cree LED 的 EZ 芯片经过测试,符合光学和电气规格。这些 LED 应用广泛,包括汽车照明、可穿戴设备、视频显示器和 LCD 背光。
特点
- 朗伯辐射模式
- 垂直导电(单线接合)
- 阳极向上设计(p-pad 向上)
- 分档电流为 20 mA
- 辐射通量(射频)性能:
- 450 纳米 - 36+ mW
- 460 纳米 - 34+ mW
- 470 纳米 - 30+ mW
- 527 纳米 - 16+ mW
- 典型正向电压 (Vf) - 2.9V
- 背面金属:
- 与通量共晶一起使用的 AuSn
连接,导电胶、
锡膏和焊料预型件
- 2kV 2 类 ESD 额定值
应用
- 一般照明
- 飞机
- 装饰照明
- 任务照明
- 户外照明
- 白色 LED
- 可穿戴设备
- 投影显示器
- 汽车内饰
---